不少玩家在選購內(nèi)存時(shí)候會看到部分商家會將DDR5和DDR4內(nèi)存進(jìn)行比較，并且還有各種各樣的時(shí)序使自己眼花繚亂，但多數(shù)玩家并不懂這些專業(yè)話術(shù)，所以今天就為你們整理出這些區(qū)別在哪里。

首先DDR5和DDR4內(nèi)存的區(qū)別在于帶寬速度，單片芯片密度，工作頻率三個(gè)方面。

一、帶寬速度方面：

與DDR4相比，改進(jìn)的DDR5功能將使實(shí)際帶寬提高36%，目前DDR4的帶寬在25.6GB/s，DDR5的帶寬為32GB/s。

二、工作頻率方面：

DDR4的最低的工作頻率標(biāo)準(zhǔn)為1600MHz，最高工作頻率為3200MHz(不超頻的情況下)，而DDR5的工作頻率最低高達(dá)4800MHz以上，最高頻率達(dá)到6400MHz。

三、單片芯片密度方面：

DDR4目前主要為4GB，單條內(nèi)存的最大容量達(dá)到128GB，而DDR5會有單片超過16GB的芯片密度，可以達(dá)到單條更高容量。

而在功耗方面目前DDR4內(nèi)存的單條功耗為1.2V，DDR5內(nèi)存的功耗將進(jìn)一步降低到1.1V。同時(shí)DDR5具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

說完了DDR5和DDR4內(nèi)存的區(qū)別，那接下來說一下內(nèi)存的時(shí)序起到什么作用。內(nèi)存時(shí)序則是一大串?dāng)?shù)字，表述的時(shí)候中間用破折號隔開，例如16-18-18-38。

內(nèi)存時(shí)序4個(gè)數(shù)字對應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時(shí)間周期，也就是一個(gè)沒有單位的純數(shù)字。

CL(CASLatency)：列地址訪問的延遲時(shí)間，是時(shí)序中最重要的參數(shù)。

tRCD(RASto CAS Delay)：內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。

tRP(RASPrecharge Time)：內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。

tRAS(RASActive Time)：行地址激活的時(shí)間。

越低的時(shí)序代表顆粒體質(zhì)越好，超頻的潛力也就越大。內(nèi)存的時(shí)序會隨著頻率的增加而增加，內(nèi)存的延遲可以用這個(gè)公式來計(jì)算：內(nèi)存延時(shí)=時(shí)序(CLx 2000 )/內(nèi)存頻率。

即使內(nèi)存的時(shí)序會隨著頻率的增加而增加，但最后內(nèi)存的延時(shí)并沒有太大的變化。頻率相同時(shí)，時(shí)序越低，延遲也就越小。同樣，時(shí)序相同時(shí)，頻率越高，延遲也就越小。